N-CHANNEL 250V 0.9 OHM 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET The STD4NS25T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD4NS25T4 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces power losses in high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power conversion.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in harsh conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 250V 0.9 OHM 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET