N-CHANNEL 250V 0.9 OHM 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET The STD4NS25 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 20ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  
- Compliant with RoHS standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 250V 0.9 OHM 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET