N-CHANNEL 800V The **STD4NK80ZT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 2.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
### **Description:**
The **STD4NK80ZT4** is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.
### **Features:**
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220FP Package (Insulated)**  
This MOSFET is optimized for efficiency and reliability in high-voltage applications.