N-CHANNEL 600V The STD4NK60ZT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STD4NK60ZT4 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and improved switching performance.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces drive requirements.  
- **Zener-Protected Gate:** Prevents damage from voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.

N-CHANNEL 600V