N-channel 500V - 2.4Ω - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH? Power MOSFET The STD4NK50ZD is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD4NK50ZD is a high-voltage MOSFET designed for switching applications, offering low on-resistance and fast switching performance. It is suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees ruggedness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-channel 500V - 2.4Ω - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH? Power MOSFET