N-CHANNEL 500V The STD4NK50Z-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 45W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.5Ω (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 2Ω (at V_GS = 4V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The STD4NK50Z-1 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for power supplies, lighting, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Low R_DS(on):** Improves conduction losses.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness.  

These details are based solely on the manufacturer's specifications.

N-CHANNEL 500V