### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 80nC (typ)  
- **Package:** TO-220  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.