N-CHANNEL 550V @Tjmax The STD3NM50T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 45 W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.5 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **R_DS(on) (Max):** 2 Ω (at V_GS = 4 V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 8 ns  
- **Rise Time (t_r):** 28 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns  
- **Fall Time (t_f):** 15 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The STD3NM50T4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features ST's MDmesh™ technology, which provides low on-state resistance and high switching performance. The device is suitable for power supplies, lighting, and motor control applications.

### **Features:**
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High dv/dt capability** for robustness  
- **Avalanche ruggedness** for reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 550V @Tjmax