N-CHANNEL 900V 4.1 OHM 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STD3NK90Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STD3NK90Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ series, which provides low on-resistance and high switching performance. This device is suitable for power supplies, lighting, and industrial applications requiring high efficiency.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low R_DS(on) for Reduced Conduction Losses**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications. For detailed application guidelines, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 900V 4.1 OHM 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET