N-CHANNEL 800V The STD3NK80Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD3NK80Z is an N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ series, which offers low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, lighting, motor control, and industrial applications.

N-CHANNEL 800V