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STD3NK80Z-1 from ST,ST,ST Microelectronics

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STD3NK80Z-1

Manufacturer: ST,ST

N-CHANNEL 800V

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
STD3NK80Z-1,STD3NK80Z1 ST,ST 846000 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 800V **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

**Part Number:** STD3NK80Z-1  

**Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ V  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 12A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 50W  
- **RDS(on) (Max):** 3.5Ω @ VGS = 10V  
- **RDS(on) (Typ):** 2.7Ω @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 25pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions and Features:**  
- High-voltage N-channel MOSFET optimized for high-efficiency switching applications.  
- Utilizes ST's MDmesh™ V technology for low on-resistance and reduced switching losses.  
- Suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  
- Avalanche ruggedness and improved dv/dt capability.  
- 100% avalanche-tested for reliability.  
- RoHS-compliant and halogen-free.  

(Data sourced from STMicroelectronics official documentation.)

Application Scenarios & Design Considerations

N-CHANNEL 800V
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
STD3NK80Z-1,STD3NK80Z1 STM 10000 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 800V The STD3NK80Z-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Description:**  
The STD3NK80Z-1 is an N-channel 800V, 2.7A MDmesh™ power MOSFET in a DPAK (TO-252) package. It is designed for high-voltage applications, offering low on-resistance and fast switching performance.

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 10.8A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 360pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Provides low conduction losses and high switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **DPAK (TO-252) Package:** Surface-mount package with good thermal performance.  

This information is based solely on STMicroelectronics' datasheet for the STD3NK80Z-1.

Application Scenarios & Design Considerations

N-CHANNEL 800V
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
STD3NK80Z-1,STD3NK80Z1 ST 30 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 800V The STD3NK80Z-1 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STD3NK80Z-1 is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage applications. It features low gate charge, fast switching, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Zener-Protected Gate**  

The device is available in a TO-252 (DPAK) surface-mount package.

Application Scenarios & Design Considerations

N-CHANNEL 800V

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