STD3NK80Z-1

N-CHANNEL 800V The STD3NK80Z-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Description:**  
The STD3NK80Z-1 is an N-channel 800V, 2.7A MDmesh™ power MOSFET in a DPAK (TO-252) package. It is designed for high-voltage applications, offering low on-resistance and fast switching performance.

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 360pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Provides low conduction losses and high switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **DPAK (TO-252) Package:** Surface-mount package with good thermal performance.  

This information is based solely on STMicroelectronics' datasheet for the STD3NK80Z-1.

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