N-CHANNEL 600V The **STD3NC60T4** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 190pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STD3NC60T4** is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching speed, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is available in a **TO-252 (DPAK)** package.  

For detailed datasheets or additional technical information, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.

N-CHANNEL 600V