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STD35NF06LT4 from ST,ST Microelectronics

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STD35NF06LT4

Manufacturer: ST

N-CHANNEL 60V 0.014 OHM 35A DPAK STRIPFET II MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
STD35NF06LT4 ST 25200 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 60V 0.014 OHM 35A DPAK STRIPFET II MOSFET The STD35NF06LT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 140A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 450pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage signals (10V).  
- **Applications:** Used in power management, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

N-CHANNEL 60V 0.014 OHM 35A DPAK STRIPFET II MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
STD35NF06LT4 STM 30 In Stock

Description and Introduction

N-CHANNEL 60V 0.014 OHM 35A DPAK STRIPFET II MOSFET The **STD35NF06LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 140A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) / 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and automotive systems.  

This MOSFET is designed for high-performance power management in industrial and automotive applications.

Application Scenarios & Design Considerations

N-CHANNEL 60V 0.014 OHM 35A DPAK STRIPFET II MOSFET

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