N-channel 30 V, 14 mOhm;, 35 A, DPAK STripFET(TM); V Power MOSFET The STD35N3LH5 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 140A  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(on) (Max):** 4.5mΩ at VGS = 10V  
- **RDS(on) (Max):** 5.5mΩ at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (Min) - 2.5V (Max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 45nC (Typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerFLAT™ 5x6  
### **Description:**  
The STD35N3LH5 is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features STMicroelectronics' STripFET™ III technology, which provides low on-resistance and high current capability in a compact PowerFLAT™ 5x6 package.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 35A continuous current.  
- **Optimized Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.