P-CHANNEL 30V The **STD30PF03LT4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Description:**  
The **STD30PF03LT4** is a **P-channel** 30V power MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in portable devices, battery protection, and DC-DC converters.
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -30A (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -120A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 12mΩ (max) at VGS = -10V  
  - 16mΩ (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2800pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  
### **Features:**  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.