N-CHANNEL 60V The STD30NF06-T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The STD30NF06-T4 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for applications such as motor control, DC-DC converters, and power management.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 60V