N-CHANNEL 600V The **STD2NM60T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 6pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The **STD2NM60T4** is a **high-voltage N-channel MOSFET** designed for **switching applications** in power supplies, lighting, and motor control. It features **low gate charge** and **fast switching speeds**, making it suitable for **high-efficiency applications**.

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance characteristics, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.

N-CHANNEL 600V