### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
- Compliant with RoHS standards.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.