### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage, low gate charge N-Channel MOSFET  
- Designed for high-efficiency switching applications  
- Fast switching performance  
- Low input and output capacitance  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications  
- TO-252 (DPAK) surface-mount package  

This MOSFET is optimized for high-voltage applications requiring efficient switching and reliability.