N-CHANNEL 800V The STD2NB80 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 6.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 110pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- High voltage capability (800V) for power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low input capacitance for improved efficiency.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for high-voltage DC-DC converters, inverters, and motor control applications.  
- Compliant with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directives.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 800V