N-CHANNEL 250V The part **STD2NB25T4** is manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (per channel)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30W  
- **R_DS(on) (max):** 1.5Ω (at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerFLAT™ 5x6  

### **Description:**  
The **STD2NB25T4** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and high switching performance. The PowerFLAT™ package ensures excellent thermal management and compact PCB design.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Optimized gate charge** for better driving performance  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

N-CHANNEL 250V