OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STD2NA50-T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 8A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 30pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 8pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 3pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
### **Description:**  
The STD2NA50-T4 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Input Capacitance**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD2NA50-T4.