N-CHANNEL 600V The **STD2HNK60Z-1** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STD2HNK60Z-1** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

For exact application details, refer to the official **ST datasheet**.

N-CHANNEL 600V