N-CHANNEL 600V The **STD2HNK60-Z-1** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STD2HNK60-Z-1  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II (Advanced Power MOSFET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.8Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **STD2HNK60-Z-1** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features **MDmesh™ II technology**, which provides low on-resistance and high switching efficiency.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications**.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 600V