N-CHANNEL 200V The **STD22NM20NT4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 240pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Description:**  
The **STD22NM20NT4** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems, motor control, and industrial applications.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (22A continuous, 88A pulsed)  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for reliable operation  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements  
- **TO-220 package** for easy mounting and heat dissipation  

For detailed datasheets and application notes, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.

N-CHANNEL 200V