N-CHANNEL 200V 0.10 Ohm 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II MOSFET The STD20N20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD20N20 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving power requirements.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 200V 0.10 Ohm 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II MOSFET