N-CHANNEL 800V The STD1NK80Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 35W  
- **R_DS(on) (Max):** 15Ω (at V_GS = 10V, I_D = 0.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STD1NK80Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, lighting, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Input Capacitance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD1NK80Z.

N-CHANNEL 800V