N-CHANNEL 800V The STD1NB80-T4 is a power MOSFET manufactured by KEXIN. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for applications requiring up to 800V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Low Input Capacitance:** Helps reduce switching losses.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's provided data.

N-CHANNEL 800V