### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Current (I_D):** 19A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications**  
- **Low gate charge** for fast switching performance  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested** for robustness  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management**  

This MOSFET is optimized for applications requiring **high current handling and efficient power switching**.  

Would you like additional details on any specific parameter?