N-CHANNEL 60V The part **STD19NE06** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  

For exact datasheet details, refer to STMicroelectronics' official documentation.