LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR The STD1805 is a P-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **R_DS(on) (Max):** 0.15Ω (at V_GS = -10V, I_D = -4.5A)  

### **Description:**
The STD1805 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications  
- **Fully Characterized for Safe Operating Area (SOA)**  
- **TO-252 (DPAK) Package** for easy mounting and thermal performance  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.