### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Suitable for low-power circuits and signal amplification.  
- TO-92 package ensures easy mounting in through-hole PCB designs.  

This information is based on ST's official datasheet for STD1802.