STD17NE03L

N The STD17NE03L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.03Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD17NE03L is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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