OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STD17N06L is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The STD17N06L is a rugged N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V or 10V signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.