### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 20nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD17N06 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed technical parameters, refer to the official STMicroelectronics documentation.