N The STD17N05L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The STD17N05L is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees reliability under harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.