STD17N05

OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STD17N05 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD17N05 is a rugged N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- ESD protection  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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