N-CHANNEL 60V The **STD16NE06-T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 20nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **STD16NE06-T4** is a **N-channel enhancement-mode** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It utilizes **STripFET™ II technology**, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, power management, and automotive applications**.  

### **Features:**
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **Fully characterized for 175°C operation** for high-temperature applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official resources.