N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package The STD13NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for high-power applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces switching losses.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and lighting systems.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD13NM60N MOSFET.