**Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 9V  
- **Collector Current (I_C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8-40  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- High voltage capability  
- High current handling  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose switching and amplification applications  
- Suitable for power supply and motor control circuits  
- Robust TO-220 package for efficient heat dissipation  

(Note: Always verify specifications with the manufacturer's datasheet for accuracy.)