N-CHANNEL 60V The STD12NE06L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STD12NE06L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes and performance curves, refer to the official STMicroelectronics documentation.