N-channel 600V The STD11NM60ND is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD11NM60ND is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ series, which provides low on-resistance and improved switching performance.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Enhances efficiency and reduces conduction losses.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching performance.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and lighting applications.