N-CHANNEL 24V The STD110NH02L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STD110NH02L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for high-efficiency power conversion and motor control systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High power dissipation capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- Improved dv/dt capability  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD110NH02L.