P-CHANNEL 60V The STD10PF06T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD10PF06T4.

P-CHANNEL 60V The STD10PF06T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 10A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.065Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Package:** TO-220  
- **Technology:** STripFET™ II  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- Compliant with RoHS standards.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD10PF06T4.

P-CHANNEL 60V The **STD10PF06T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The STD10PF06T4 is a **low-voltage, high-performance** N-channel MOSFET designed for **switching applications** in power management circuits. It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power switching** applications.

### **Key Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the **official STMicroelectronics datasheet**.