P-CHANNEL 60V The STD10PF06 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.08Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 160pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The STD10PF06 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.