N-CHANNEL 24V The STD100NH02L is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on ST's official documentation:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STD100NH02L is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and high switching performance, making it suitable for applications like DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 75A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in high-frequency switching.  
- **TO-220 Package:** Robust and widely used for power applications.  

For detailed technical information, refer to the official STMicroelectronics datasheet.