N-CHANNEL 24V The STD100NH02 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (Min) – 4V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 160pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- High current capability.  
- Avalanche ruggedness.  
- 100% avalanche tested.  
- Improved dv/dt capability.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD100NH02 MOSFET.