N-CHANNEL 30V - 0.0045? - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET? MOSFET The **STD100N03LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 3.5 mΩ @ V_GS = 10V  
  - 4.5 mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (Min) – 2.5V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 70nC (Typ)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)** – Surface-mount package with high power dissipation capability.  

### **Description:**  
The STD100N03LT4 is a **low-voltage, high-current** N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management in automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (100A continuous).  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Optimized for high-frequency switching.**  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.