HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR The **STC03DE170** is a **1700V, 3A** silicon carbide (SiC) Schottky diode manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (VRRM):** 1700V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 3A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** Typically 1.7V at 3A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** Typically 5µA at 1700V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -40°C to +175°C  

### **Features:**  
- **SiC Schottky Technology:** Enables high efficiency, low switching losses, and high-temperature operation.  
- **Zero Reverse Recovery Current (Qrr):** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **High Thermal Conductivity:** Suitable for demanding power applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability for automotive applications.  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Power factor correction (PFC) circuits  
- Solar inverters  
- Industrial power supplies  
- Electric vehicle (EV) charging systems  
- High-voltage DC-DC converters  

The **STC03DE170** is designed for high-efficiency, high-power applications where fast switching and thermal stability are critical.

HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR