N-CHANNEL 600V The STB9NK60ZDT4 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 8A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The STB9NK60ZDT4 is a high-voltage MOSFET designed for efficient switching applications.  
- It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for power supplies, lighting, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability during avalanche conditions.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces drive requirements.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured reliability under harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.